类型 |
描述 |
类别 |
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
|
制造商 |
Texas Instruments |
系列 |
NexFET™ |
包装 |
卷带 |
FET 类型 |
N 通道 |
技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
12 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) |
22A(Ta) |
驱动电压 |
2.5V-4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻 |
9.3 毫欧 @ 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th) |
1.1V @ 250μA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg) |
6.6 nC @ 4.5 V |
Vgs |
±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss) |
997 pF @ 6 V |
功率耗散 |
2.7W(Ta) |
工作温度 |
-55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 |
表面贴装型 |
供应商器件封装 |
6-WSON(2x2) |